| 体结构GaAs光导开关实验研究 |
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| 引用本文： | 刘宏伟, 袁建强, 刘金锋, 等. 体结构GaAs光导开关实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(11). |
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| 作者姓名： | 刘宏伟 袁建强 刘金锋 赵越 李洪涛 谢卫平 |
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| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳 621 900 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50837004,51007085); 中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2009B0402040) |
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| 摘 要： | 为解决光导开关耐受场强的提高问题,研制了2种体结构光导开关,并进行了实验研究。两种开关均由半绝缘GaAs材料制成,一种尺寸为10.0 mm×10.0 mm×0.6 mm,电极位于10.0 mm×10.0 mm面上相对位置,电极直径6 mm;另一种尺寸为15.0 mm×15.0 mm×3.0 mm,8 mm直径电极位于15.0 mm×15.0 mm面上相对位置。测试了第1种开关在不同半高宽脉冲加载电压下的击穿电压,结果表明其最大耐受电压达7.6 kV,击穿电场127 kV/cm。对第2种结构测试了开关在直流加载条件下的暗态伏安特性并进行了触发实验,结果表明在15 kV工作电压下,其放电最大电流超过3.5 kA。
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| 关 键 词： | 砷化镓 光导开关 体结构 击穿场强 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
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