| MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 程海英,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南,江风益.MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜[J].南昌大学学报(理科版),2006,30(6):585-589. |
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| 作者姓名： | 程海英 王立 方文卿 蒲勇 郑畅达 戴江南 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用常压MOCVD方法在Cu／Si（111）基板上生长ZnO薄膜，研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明：ZnO／Cu／Si（111）外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密，并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。
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| 关 键 词： | Cu/Si(111)基板 X射线衍射 光致发光 |
| 文章编号： | 1006-0464（2006）06-0585-05 |
| 收稿时间： | 2006-08-20 |
| 修稿时间： | 2006年8月20日 |
MOCVD Growth of ZnO Thin Films on Cu/Si(111) Template |
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| CHENG Hai-ying,WANG Li,FANG Wen-qing,PU Yong,ZHENG Chang-da,DAI Jiang-nan,JIANG Feng-yi.MOCVD Growth of ZnO Thin Films on Cu/Si(111) Template[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2006,30(6):585-589. |
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| Authors: | CHENG Hai-ying WANG Li FANG Wen-qing PU Yong ZHENG Chang-da DAI Jiang-nan JIANG Feng-yi |
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| Institution: | Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Nanchang University, Nanchang 330047, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO MOCVD |
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