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| 半导体电子态理论简介(Ⅱ) | |
| 引用本文： | 夏建白. 半导体电子态理论简介(Ⅱ)[J]. 物理, 1989, 18(7). |
| 作者姓名： | 夏建白 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 三、半导体表面半导体表面研究的现象包括理想表面,表面的弛豫和重构,以及表面吸附等．理想表面是假设晶体断裂后,它的表面原子的排列和晶体内部相同．实际情况往往不是这样,由于在表面上原子所受的力与晶体内部不同,它的运动自由度又较大,因此往往会发生表面原子位移．如果这种位移不破坏晶体平行于表面的平移对称性,则称为弛豫;如果破坏了这种平移对称性,并形成一种新的平移对称性,则称为重构．由于半导体表面的存?... |
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