| 电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏 |
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| 引用本文： | 余稳,黄文华.电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏[J].强激光与粒子束,1999,11(3):355-358. |
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| 作者姓名： | 余稳 黄文华 |
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| 作者单位： | 1.常德师范学院电磁理论研究所, 湖南常德 415000;2.西北核技术研究所, 西安市69信箱, 710024 |
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| 基金项目： | 国家863激光技术领域资助课题 |
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| 摘 要： | 利用时域有限差分（FDTD）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体pn结器件在快前沿（ns量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为，及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况。
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| 关 键 词： | 电磁脉冲 半导体器件 电流模式 时域有限差分 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
THE CURRENT MODE DESTROY OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY ELECTROMAGNETIC PULSE |
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| Abstract: | By means of the FDTD method, we have carried out the modeling of burnout of the semiconductor devices under the Electromagnetic Pulse (EMP) environment. We obtained the transient behavior of pn junction device which is under the attack of rapid rise (about ns rise time ) EMP, and the variances of device parameters during the burnout of the device which is caused by current through the device. |
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| Keywords: | EMP semiconductor devices current mode FDTD |
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