在小硅化物SiX~m(X=Be、B、C、N、O、F、Ne,m=~4-+2)中分子成键倾向的从头算研究 |
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引用本文: | 谷廷坤,赵永芳.在小硅化物SiX~m(X=Be、B、C、N、O、F、Ne,m=~4-+2)中分子成键倾向的从头算研究[J].原子与分子物理学报,1995(2). |
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作者姓名: | 谷廷坤 赵永芳 |
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作者单位: | 吉林大学原子与分子物理研究所 |
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摘 要: | 此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电子相关效应,并考虑了不同基函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频率在HF、MP2、MP3水平上都呈现出明显的规律性,通过与实验上存在的稳定分子SiO相比较,可以预言NSIi-和SiF+比其它分子有较明显的成键可能性,所以,NSi-和SiF+有可能形成稳定的分子。
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关 键 词: | 小硅化物,分子轨道从头算,分子成键倾向性 |
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