| 类氖-锗电子碰撞激发X光激光的增益特性 |
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| 引用本文： | 张毓泉,张覃鑫.类氖-锗电子碰撞激发X光激光的增益特性[J].强激光与粒子束,1997,9(1):41-46. |
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| 作者姓名： | 张毓泉 张覃鑫 |
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| 作者单位： | 中物院应用物理与计算数学研究所，北京8009信箱，100088 |
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| 基金项目： | 国家863激光技术领域资助 |
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| 摘 要： | 电子碰撞激发X光激光的增益特性依赖于电子密度Ne、电子温度Te、增益区宽度D R和介质速度梯度dv/dz等四个表征等离子体内部状态的参数。以类氖-锗离子为例研究了反转和增益特性对Te、Ne的依赖关系，并在典型的增益区宽度（D R=100 μm）和介质速度梯度（dv/dz=1.3×109s-1）下讨论了共振线俘获对增益特性影响，给出波长为19.6nm, 23.2nm和23.6nm三条激光线的增益目标区域。还讨论了双电子复合过程对离子布居的重要影响。
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| 关 键 词： | X光激光 电子碰撞激发 等离子体状态 增益目标区域 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
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