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| ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布 | |
| 作者姓名： | 赵伟明 唐春玖 蒋雪茵 张志林 许少鸿 |
| 作者单位： | 上海大学嘉定校区材料科学系 |
| 摘 要： | 采用高频溅射的方法制备了高亮度的ＺｎＳ∶Ｔｂ薄膜电致发光器件．测量了发射强度比Ｉ（５Ｄ３－７Ｆ６）／Ｉ（５Ｄ４－７Ｆ４）随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率，计算了碰撞截面，分析ＺｎＳ∶Ｔｂ的过热电子的分布，并与ＺｎＳ∶Ｍｎ进行了比较．指出了ＺｎＳ∶Ｔｂ效率与ＺｎＳ∶Ｍｎ效率差异的可能原因． |
| 关 键 词： | ZnS∶Tb，薄膜，电致发光，量子效率，过热电子分布 |
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