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| 阳离子空位磁矩起因探讨 | |
| 作者姓名： | 潘凤春 林雪玲 陈焕铭 |
| 作者单位： | 宁夏大学物理电气信息学院, 银川 750021 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 11447160)和宁夏高等学校科学研究项目(批准号: NGY2014048)资助的课题. |
| 摘 要： | 运用群论和分子轨道理论的方法, 系统地研究了非掺杂磁性半导体中阳离子空位产生磁矩的原因, 并用海森堡模型阐明了磁矩之间的交换耦合机理. 研究发现: 阳离子空位磁矩的大小与占据缺陷能级轨道的未配对电子数有关, 而缺陷能级的分布与空位的晶场对称性密切相关; 通过体系的反铁磁状态和铁磁状态下的能量差估算交换耦合系数J0, 交换耦合系数J0的正负可以用来预测磁矩之间的耦合是否为铁磁耦合:J0>0, 则表明磁矩之间的耦合为铁磁耦合, 反之为反铁磁耦合. 最后指出空位的几何构型发生畸变(John-Teller效应)的原因: 缺陷能级轨道简并度的降低与占据缺陷能级轨道的电子的数目有直接的关系. |
| 关 键 词： | 阳离子空位 磁矩 电子结构 对称性 |
| 收稿时间： | 2015-03-17 |