| 不同Sb含量p-SnO2薄膜的制备和特性 |
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| 作者姓名： | 冯秋菊 刘洋 潘德柱 杨毓琪 刘佳媛 梅艺赢 梁红伟 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁师范大学物理与电子技术学院, 大连 116029;2. 大连理工大学物理与光电工程学院, 大连 116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 11004020)、辽宁省自然科学基金(批准号: 2014020004)和中国科学院空间激光通信及检验技术重点实验室开放基金(批准号: KJJG10-1)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用化学气相沉积方法, 利用Sb2O3/SnO作为源材料, 在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO2薄膜, 并在此基础上制作出p-SnO2:Sb/n-SnO2同质p-n 结器件. 研究表明, 随着Sb含量的增加, 样品表面变得平滑, 晶粒尺寸逐渐增大, 且晶体质量有所改善, 发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用. Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO2呈现p型导电特性, 当Sb2O3/SnO的质量比为1:5时, 其电学参数为最佳值. 此外, p-SnO2:Sb/n-SnO2同质p-n结器件展现出良好的整流特性, 其正向开启电压为3.4 V.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 SnO2薄膜 Sb掺杂 同质p-n结 |
| 收稿时间： | 2015-07-27 |
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