五阶压控忆阻蔡氏混沌电路的双稳定性 |
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作者姓名: | 林毅 刘文波 沈骞 |
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作者单位: | 南京航空航天大学自动化学院, 南京 211106 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:61471191)和航空科学基金(批准号:20152052026)资助的课题. |
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摘 要: | 通过在蔡氏电路的耦合电阻支路中串联一个电感,采用压控忆阻替换蔡氏电路中的蔡氏二极管,提出了一种新颖的五阶压控忆阻蔡氏混沌电路.建立该电路的数学模型,从理论上分析了平衡点及其稳定性的演化过程.特别地,该电路在给定参数下只有一个不稳定的零平衡点,却形成了混沌与周期的非对称吸引子共存的吸引盆,意味着双稳定性的存在.进而利用数值仿真与PSIM电路仿真着重研究了本文电路在不同初始状态下产生的双稳定性现象及其形成机理.PSIM电路仿真结果与数值仿真结果一致,较好地验证了理论分析.借助分岔图、李雅普诺夫指数、相轨图和吸引盆进一步深入探讨了归一化五阶压控忆阻蔡氏系统依赖于系统初始条件的动力学行为.结果表明,该忆阻蔡氏系统在不同的初始条件下能够呈现出混沌吸引子与周期极限环共存的双稳定性现象.
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关 键 词: | 双稳定性 动力学行为 压控忆阻 蔡氏电路 |
收稿时间: | 2018-07-04 |
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