| 低As压退火对GaAs(001)表面形貌与重构的影响 |
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| 作者姓名： | 周勋 罗子江 王继红 郭祥 丁召 |
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| 作者单位： | 1. 贵州师范大学物理与电子科学学院, 贵阳 550001;2. 贵州财经大学教育管理学院, 贵阳 550004;3. 贵州大学理学院, 贵阳 550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 61564002)、教育部博士点基金(批准号: 20105201110003)、 贵州师范大学2012年博士基金、2013年度贵州财经大学引进人才科研项目(批准号: [2013]2114) 和贵州省科学技术基金项目(批准号: 黔科合J字[2011]2095号)资助的课题. |
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| 摘 要： | 在低As压条件下退火处理原子级平坦的GaAs(001) βup 2(2×4)重构表面. 利用扫描隧道显微镜对表面进行研究, 发现随着低As压退火时间的延长, 表面形貌与表面重构的演变同步进行. 表面形貌经历了从有序平坦转变为无序平坦, 然后逐渐恢复到有序平坦状态的过程. 表面重构则由βup 2(2×4)重构逐渐转变为(2×6)重构, 然后再转变为锯齿状的(2×6)重构, 并且表面形貌与表面重构的演变存在一定的相互关系.
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| 关 键 词： | 表面形貌 表面重构 预粗糙 (2×6)重构 |
| 收稿时间： | 2015-04-06 |
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