| 外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga2O3纳米线及其特性研究 |
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| 作者姓名： | 冯秋菊 李芳 李彤彤 李昀铮 石博 李梦轲 梁红伟 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁师范大学物理与电子技术学院, 大连 116029;2. 大连理工大学微电子学院, 大连 116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：61574026，11405017）和辽宁省自然科学基金（批准号：201602453）资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用外电场辅助化学气相沉积（CVD）方法，在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga2O3纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga2O3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明：外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响，有外加电场作用时生长的β-Ga2O3纳米线取向性开始变好，只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga2O3纳米线；并且随着外加电压的增加，纳米线分布变得更加密集、长度明显增长.此外，采用这种外电场辅助的CVD方法可以明显改善样品的结晶和光学质量.
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| 关 键 词： | 外电场 化学气相沉积 β-Ga2O3 纳米线 |
| 收稿时间： | 2018-04-25 |
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