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脉冲激光沉积法制备高温压电薄膜0.20 BiInO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;-0.80PbTiO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;$lt;strong$gt;$lt;font color="#ff0000"$gt;$lt;font color="#ff0000"$gt;(已撤稿)$lt;/font$gt;$lt;/font$gt;$lt;/strong$gt;
引用本文:王伟,唐佳伟,王乐天,陈小兵.脉冲激光沉积法制备高温压电薄膜0.20 BiInO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;-0.80PbTiO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;$lt;strong$gt;$lt;font color="#ff0000"$gt;$lt;font color="#ff0000"$gt;(已撤稿)$lt;/font$gt;$lt;/font$gt;$lt;/strong$gt;[J].物理学报,2013,62(23):237701-237701.
作者姓名:王伟  唐佳伟  王乐天  陈小兵
作者单位:扬州大学物理科学与技术学院, 扬州 225002
摘    要:采用脉冲激光沉积法制备了0.20BiInO3-0.80PbTiO3(20BI-PT)高温压电薄膜,并与0.15BiInO3-0.85PbTiO3(15BI-PT)样品进行了比较研究. X射线衍射谱显示,20BI-PT样品100峰出现了明显的劈裂,显示样品具有更高的四方对称性. FESEM图显示,20BI-PT样品中出现了部分111取向的三角形晶粒. 20BI-PT样品的铁电剩余极化(Pr)为~28 μC/cm2,矫顽场(Ec)为~120 kV/cm,相较15BI-PT样品,Pr略有增加,但同时Ec也有增加. 20BI-PT样品的横向压电系数(e31,f)约为–4.7±0.6 C/m2,和15BI-PT相比几乎一样. 介电温度谱显示,20BI-PT 样品的居里温度比15BI-PT增加了约30 ℃,达590 ℃,且介电峰没有明显的频率依赖性. Rayleigh分析显示,20BI-PT样品中内在本征因素及可翻转畴对介电非线性的贡献和15BI-PT基本相同,但是外在因素的贡献没有15BI-PT的贡献大,这可能和20BI-PT样品中晶粒111相对取向率较高有关. 关键词: 薄膜 脉冲激光沉积 铁电 压电

关 键 词:薄膜  脉冲激光沉积  铁电  压电
收稿时间:2013-07-26
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