| 超宽禁带半导体β-Ga_2O_3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展 |
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| 作者姓名： | 郭道友 李培刚 陈政委 吴真平 唐为华 |
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| 作者单位： | 1. 浙江理工大学物理系, 光电材料与器件中心, 杭州 310018;
2. 北京邮电大学理学院, 信息功能材料与器件实验室, 北京 100876;
3. 北京邮电大学, 信息光子学与光通信国家重点实验室, 北京 100876 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：61704153,51572241,61774019,51572033）和北京市科委（批准号：SX2018-04）资助的课题. |
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| 摘 要： | β-Ga_2O_3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga_20_3材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga_2O_3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga_2O_3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88%,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga_2O_3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×10~3A/W,响应时间为20μs.
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| 关 键 词： | Ga2O3 超宽带隙半导体 日盲探测器 深紫外透明电极 |
| 收稿时间： | 2018-10-15 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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