| Gd2SiO5:Eu3+晶体的光学浮区法制备及发光性能研究 |
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| 作者姓名： | 高明远 张澎鹏 罗岚 郭锐 汪雨 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学与工程学院,南昌 330031;南昌大学材料科学与工程学院,南昌 330031;南昌大学,江西省轻质高强结构材料重点实验室,南昌 330031 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2016YFB0701201,2016YFB0701203,2017YFB1103701);国家自然科学基金(11564025,51671101);江西省自然科学基金(20171BCD40003);江西省教育厅重点计划(GJJ150010);南昌大学本科生创新创业训练项目(20190402352,2019-3910) |
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| 摘 要： | 用冷等静压制多晶料棒通过高温固相法制备Gd2SiO5:Eu3+粉末,并使用光学浮区法制得晶体.对其进行微观组织结构及光谱性能测试,XRD分析表明,晶体生长方向为[001]方向;摇摆曲线和Raman分析均表明其结晶状况比粉末、料棒更好;晶体无宏观和微观缺陷;EDS及XPS分析表明晶体中无杂质成分,且XPS谱中可以观测到Gd3d5/2、Eu4d5/2光电子峰劈裂,分别对应7配位和9配位离子.UV-Vis低温吸收谱中存在Eu3+-O2-电荷转移吸收带和Gd3+4f-4f电子跃迁吸收(6D/I/PJ→8S7/2)吸收限,做(Ahν)1/2-hν曲线得到其禁带宽度为5.9 eV;样品在紫外激发下呈橘红色,并在254 nm、277 nm、365 nm、396 nm激发下可产生发射峰为583 nm、596 nm、620 nm、629 nm的红光发射(对应Eu3+的5D0→7F0,1,2,3),其中277 nm激发下强度最大;以583 nm、596 nm、620 nm、629 nm为监测波长,其激发谱在200～500 nm波段,并出现以277 nm为中心的宽谱(对应Eu-O电荷转移跃迁和Gd3+8S7/2→6IJ)以及313 nm(Gd3+8S7/2→6PJ)、396 nm(Eu3+7F0→5L6)和466 nm(Eu3+的7F0→5D3)激发锐峰.由此可知,光学浮区法可以得到质量良好的Gd2SiO5:Eu3+晶体.
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| 关 键 词： | Gd2SiO5:Eu3+ 光学浮区法 XPS 吸收谱 荧光光谱 |
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