| 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备 |
| |
| 引用本文： | 袁泽锐,窦云巍,陈莹,方攀,尹文龙,康彬.大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J].人工晶体学报,2020,49(8):1491-1493. |
| |
| 作者姓名： | 袁泽锐 窦云巍 陈莹 方攀 尹文龙 康彬 |
| |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳621999 |
| |
| 基金项目： | 中国工程物理研究院院长基金(YZJJLX2019005) |
| |
| 摘 要： | 磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5 ～1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm ×50 mm) ZGP晶体器件制备,器件在2.09 μm的吸收系数仅为0.03 cm-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出.
|
| 关 键 词： | 中红外非线性光学晶体 ZnGeP2单晶 水平梯度冷凝法 晶体生长 |
Growth of Large ZnGeP2 Single Crystals and Fabrication of Large ZnGeP2 Crystal Devices |
| |
| YUAN Zerui,DOU Yunwei,CHEN Ying,FANG Pan,YIN Wenlong,KANG Bin.Growth of Large ZnGeP2 Single Crystals and Fabrication of Large ZnGeP2 Crystal Devices[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(8):1491-1493. |
| |
| Authors: | YUAN Zerui DOU Yunwei CHEN Ying FANG Pan YIN Wenlong KANG Bin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
