| 中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备 |
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| 引用本文： | 方攀,袁泽锐,陈莹,尹文龙,康彬.中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备[J].人工晶体学报,2020,49(5):771-773. |
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| 作者姓名： | 方攀 袁泽锐 陈莹 尹文龙 康彬 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999;四川省新材料研究中心,成都 610200;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳 621999 |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院化工材料研究所攻关项目 |
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| 摘 要： | 镝掺杂硫镓铅(Dy:PbGa2S4,Dy:PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料.为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy:PGS单晶.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy:PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy:PbGa2S4单晶,尺寸达到φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy:PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础.
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| 关 键 词： | 中红外激光晶体 Dy:PbGa2S4单晶 竖直梯度冷凝法 晶体生长 |
Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy:PbGa2S4 |
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| FANG Pan,YUAN Zerui,CHEN Ying,YIN Wenlong,KANG Bin.Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy:PbGa2S4[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(5):771-773. |
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| Authors: | FANG Pan YUAN Zerui CHEN Ying YIN Wenlong KANG Bin |
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