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| 化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究 | |
| 作者姓名： | 魏乃光 蒋立朋 李冬旭 杨海 袁琴 郭立 田智瑞 宋姿霖 刘晓华 黎建明 张鹏飞 |
| 作者单位： | 有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201;有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201 |
| 摘 要： | 本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景,系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷,包括云雾、孔洞和微裂纹、夹杂、分层和胞状物。采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征。结合国内外文献和检测结果,对各类缺陷可能的产生机理及抑制方法进行了阐述与分析。 |
| 关 键 词： | 化学气相沉积法(CVD) ZnSe 缺陷 |
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