|
|||||
|
|
| 磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构 | |
| 引用本文： | 胡 冰,李晓娜,董 闯,姜 辛. 磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构[J]. 物理学报, 2007, 56(12): 7188-7194 |
| 作者姓名： | 胡 冰 李晓娜 董 闯 姜 辛 |
| 作者单位： | 大连理工大学材料科学与工程学院，三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学材料科学与工程学院，三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学材料科学与工程学院，三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学材料科学与工程学院，三束材料改性国家重点实验室，大连 116024 |
| 基金项目： | 大连市科学技术基金(批准号：2005J22JH043) 资助的课题. |
| 摘 要： | β-FeSi2作为一种环境友好的半导体材料，颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能和改善薄膜质量、膜基界面失配度的有效途径.利用射频磁控溅射法在单晶Si基体上沉积Fe/Si多层膜，合成纳米β-FeSi2/Si多层结构.通过透射电子显微镜、高分辨电子显微术等分析手段，研究了多层结构和制备工艺之间的相互关系.研究结果表明，采用磁控溅射Fe/Si多层膜的方法，不需要退火就可以直接沉积得到β-FeSi2相小颗粒.β-FeSi2相关键词：2')" href="#">β-FeSi2磁控溅射透射电子显微镜半导体薄膜 |
| 关 键 词： | β-FeSi2 磁控溅射 透射电子显微镜 半导体薄膜 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(12)/7188-07 |
| 收稿时间： | 2006-12-02 |
| 修稿时间： | 2006-12-02 |
Nano-β-FeSi2/a-Si multi-layered structure prepared by magnetron sputtering |
|
| Hu Bing,Li Xiao-N,Dong Chuang and Jiang Xin. Nano-β-FeSi2/a-Si multi-layered structure prepared by magnetron sputtering[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(12): 7188-7194 | |
| Authors: | Hu Bing Li Xiao-N Dong Chuang Jiang Xin |
| Abstract: | Fe/Si multi-layer films were fabricated on Si(100) substrates utilizing the radio frequency magnetron sputtering system. Si/β-FeSi2 structure was found in the films after the deposition. A series of characterization methods were employed, including transmission electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy, to explore the dependence of the microstructure of β-FeSi2 film on the preparation parameters. It was found that β-FeSi2 particles were formed after the deposition without annealing, whose size was less than 20nm and the band-gap was 0.94eV. After annealing at 850℃, particles grew larger， however, the stability of thin films was still good. |
| Keywords: | β-FeSi2 magnetron sputtering transmission electron microscopy semiconductor film |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |