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| 沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶 | |
| 引用本文： | 姜守振,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,胡小波,徐现刚,王继杨,蒋民华.沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶[J].人工晶体学报,2007(1). |
| 作者姓名： | 姜守振 李娟 陈秀芳 王英民 宁丽娜 胡小波 徐现刚 王继杨 蒋民华 |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100 |
| 基金项目： | 山东省半导体照明工程关键技术，教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目 |
| 摘 要： | 本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。 |
| 关 键 词： | 升华法 SiC 微管 多型 |
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