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二元化合物内聚能的线性化缀加平面波能带方法的计算研究
作者姓名:张建忠  周玉美  王鼎盛
作者单位:中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室与凝聚态物理中心,北京,100080;中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室与凝聚态物理中心,北京,100080;中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室与凝聚态物理中心,北京,100080
摘    要:采用线性化缀加平面波能带方法,研究了典型二元化合物NiAl,SiC,GaAs,MgS和NaCl的晶体总能和内聚能,着重考查了二元素Muffin-tin半径的选取对各晶体总能和内聚能的影响。计算结果表明,对NiAl合金,Muffin-tin半径的变动几乎不改变其晶体总能;组元原子的共价键半径可以作为共价键晶体如SiC和GaAs的Muffin-tin半径;但是,元素的离子半径不适合于作为具有较强离子键合的离子性晶体如MgS和NaCl的Muffin-tin半径,因为这时阳离子有较多的芯电子溢出Muffin-tin球。通过选取适当的Muffin-tin半径,对如上化合物计算得到的内聚能与实验结果符合。

关 键 词:线性化缀加平面波能带方法  Muffin-tin半径  晶体总能  内聚能
收稿时间:1999-07-26
修稿时间:2000-03-17
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