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红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiOx非晶薄膜的过程
引用本文:王申伟,衣立新,苏梦蟾,陈恩光,王永生. 红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiOx非晶薄膜的过程[J]. 光谱学与光谱分析, 2007, 27(3): 456-459
作者姓名:王申伟  衣立新  苏梦蟾  陈恩光  王永生
作者单位:北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 教育部留学回国人员科研启动基金 , 北京交通大学校科研和教改项目
摘    要:利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜.傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带.研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0<y≤4),Si6环以及无桥氧空位中心(NBOHC)缺陷等结构,这几种结构对应的Si-O-Si键的伸缩振动吸收、非对称伸缩振动吸收以及O-Si-O键的振动吸收是导致薄膜的FTIR光谱出现3个吸收谱带的根本原因.

关 键 词:SiOx非晶薄膜  磁控溅射  红外吸收光谱
文章编号:1000-0593(2007)03-0456-04
收稿时间:2005-12-20
修稿时间:2006-03-28

A Study of Depositing Amorphous SiOx Films vis Magnetron Sputtering by FTIR Method
WANG Shen-wei,YI Li-xin,SU Meng-chan,CHEN En-guang,WANG Yong-sheng. A Study of Depositing Amorphous SiOx Films vis Magnetron Sputtering by FTIR Method[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2007, 27(3): 456-459
Authors:WANG Shen-wei  YI Li-xin  SU Meng-chan  CHEN En-guang  WANG Yong-sheng
Affiliation:Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China
Abstract:Amorphous SiOx films were deposited on Si substrates by magnetron sputtering technology. Three absorption bands of the SiOx films were detected by Fourier transform infrared spectroscopy. The authors' investigation shows that Si-Oy-Si(4-y) (0 < y < or =4), Si6 rings, and non-bridging oxygen hole center defects were formed in the films with the sputtering power increasing. The appearance of the three absorption bands was due to the stretching and asymmetric stretching vibration of Si--O--Si bond and the vibration of O--Si--O bond corresponding to the above mentioned structures in the SiOx films.
Keywords:SiOx amorphous thin films   Magnetron sputtering   Infrared absorption spectra
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