| 一种高精度EBSD花样的标定校正方法 |
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| 作者姓名： | 房尚强 张永胜 李伟 徐敬超 缪泓 曾毅 |
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| 作者单位： | 1.中国科学技术大学 中科院材料力学行为和设计重点实验室, 安徽合肥 230027;2.中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室, 上海 200050,中国科学技术大学 中科院材料力学行为和设计重点实验室, 安徽合肥 230027,中国科学技术大学 中科院材料力学行为和设计重点实验室, 安徽合肥 230027,中国科学技术大学 中科院材料力学行为和设计重点实验室, 安徽合肥 230027,中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室, 上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11732009,11890683),中国科学院仪器研制重点项目(GJHZ1721),中央高校基本科研业务费专项资金资助(WK2480000004) |
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| 摘 要： | 电子背散射衍射(Electron Backscattered Diffraction,简称EBSD)系统作为一个安装在扫描电镜上的重要附件,可以获得晶粒尺寸、相组成、取向以及织构等微观信息,其核心环节是从衍射花样中获得相应晶体信息,这依赖于系统的花样标定算法。现有商用EBSD系统标定算法基于Hough变换实现衍射花样标定,其角度误差在10%左右。为提高标定精度,本文提出了一种高精度EBSD花样的标定校正方法:先基于梯度分析获得菊池带的强弱边界位置,再利用菊池极的旋转对称性特征对弱边界位置进行校正,完成整个标定校正过程。实验验证阶段,本文对单晶硅标准样品进行分析,基于梯度分析得到菊池带的强弱边界位置,与理论值作对比得出角度误差在2%～8%,比商用算法已有较大提升;再经弱边界校正,完成标定宽度的校正。与之前相比,校正后的标定算法能够不同程度地减少10%～90%的宽度标定误差,验证了本文所提出方法的可行性和可靠性。
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| 关 键 词： | EBSD系统 强弱边界 标定校正 菊池极中心点 |
| 收稿时间： | 2019-03-15 |
| 修稿时间： | 2019-04-26 |
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