| 背接触势垒对a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池性能的影响 |
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| 作者姓名： | 王奉友 张德贤 蔡宏琨 苏 超 于 倩 胡 楠 |
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| 作者单位： | 南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津,300071;南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CB934201);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050513);中央高校基本科研业务费专项资金(65012001) |
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| 摘 要： | 由载流子输运理论推出a-Si∶ H/c-Si异质结太阳电池的背接触势垒是其J-V曲线出现S-shape现象的原因之一,此时电池内部存在两个串联反偏的二极管,阻碍载流子输运.通过模拟计算验证该结论,发现硅基异质结太阳电池背接触产生的肖特基势垒高度存在最大临界值,高于此值则电池的开路电压、填充因子和转换效率会急剧衰减,而短路电流密度基本不变.
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| 关 键 词： | 异质结 太阳电池 背接触 模拟计算, |
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