| 1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展 |
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| 引用本文： | 刘丽杰,吴远大,王玥,安俊明,胡雄伟,王佐.1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展[J].发光学报,2016(7):809-815. |
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| 作者姓名： | 刘丽杰 吴远大 王玥 安俊明 胡雄伟 王佐 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;2. 河南仕佳光子科技有限公司,河南鹤壁,458030 |
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| 基金项目： | “863”国家高技术研究发展计划(2015AA016902) |
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| 摘 要： | 垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备、量产时需要考虑的因素等方面进行较为全面的汇总分析;同时对两种主流的制备方法从工艺步骤分析其在产业化方面的优势与不足。
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 1310nm 产业化 |
Research Progress of 1310nm VCSELs Chip Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vertical cavity surface-emitting lasers 1310nm industrialization |
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