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| 高Tc台阶结Josephson器件 | |
| 作者姓名： | 江华明 刘让蛟 |
| 作者单位： | 北京大学物理系，北京大学物理系，北京大学物理系，北京大学物理系 北京，100871，北京，100871，北京，100871，北京，100871 |
| 摘 要： | 采用预先在衬底上刻蚀出台阶然后原位外延生长高 T_c 超导薄膜的工艺,制备了高 T_c 台阶结 Josephson 器件.文中研究了直流 Josephson 电流对温度和外加微波功率的关系,实验结果与磁通流器件的行为基本相符. |
| 关 键 词： | 高Tc 台阶结 约瑟夫森器件 |
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