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| Ti对Nb管富Sn法Nb3Sn上临界场Hc2的影响 | |
| 作者姓名： | 崔长度 何牧 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院上海冶金所 北京，100080，北京，100080，北京，100080，北京，100080，上海，200050 |
| 摘 要： | 测量了不掺 Ti 和不同掺 Ti 量的一组 Nb 管富 Sn 法 Nb_3Sn 样品的临界温度附近临界场,使用了 WHH 公式推算了上临界场 H_(c2)(o),研究了冷收缩应力对 Nb_3Sn 上临界场的影响,结果表明:随掺 Ti 量的增加 Nb_3Sn 的 H_(c2)(o)有较大地提高,其提高的主要原因是掺 Ti 以后改善了 Nb_3Sn 的冷收缩应力. |
| 关 键 词： | Ti Nb3Sn Nb管富Sn法 临界场 |
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