|
|||||
|
|
| 离子束溅射沉积制备高JcYBa2Cu3O7—δ超导薄膜 | |
| 引用本文： | 陈国梁,任琮欣.离子束溅射沉积制备高JcYBa2Cu3O7—δ超导薄膜[J].低温物理学报,1991,13(1):30-34. |
| 作者姓名： | 陈国梁 任琮欣 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 200050 (陈国樑，任琮欣，陈建民，杨絜，李贻杰，陈正秀，汪乐，谢雷鸣)，中国科学院上海冶金研究所 200050(邹世昌) |
| 摘 要： | 本文报道应用离子束溅射沉积制备高 T_c 高 J_c YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.较详细地考察了影响薄膜组份比和晶粒取向的主要因素.实验表明采用本文提出的组合溅射靶可方便而又精确地调节薄膜 Y、Ba、Cu 组份比.详细描述了获得高度取向薄膜的工艺条件,获得了零电阻温度 T_(c0)=88～90.5K 和临界电流密度 J_c=1.5×10~3A/cm~2(77K)的 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜. |
| 关 键 词： | 离子束溅射 沉积 高Jc 超导薄膜 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |