| Cd掺杂p型Ge基Ba8Ga16CdxGe30-x Ⅰ型笼合物的结构及热电特性 |
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| 作者姓名： | 邓书康 唐新峰 杨培志 鄢永高 |
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| 作者单位： | 1. 云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明,650092;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
2. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
3. 云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明,650092 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 以Cd作为掺杂元素,用熔融法结合放电等离子体烧结(SPS)技术制备了具有不同Cd含量的Ba8Ga16CdxGe30-x(x=0.95,1.00,1.05,1.10) Ⅰ型笼合物,研究了Cd掺杂对其结构及热电性能的影响.Rietveld结构解析表明所制备的Ba8Ga16CdxGe30-x化合物为空间群pm3n的Ⅰ型笼合物,Cd原子主要占据在框架6c和16i位置上且具有较大的原子位移参数(ADP).所有样品均表现为p型传导,样品的载流子散射机制由低温的杂质电离散射为主逐渐过渡到高温的声学波散射为主.随Cd掺杂量的增加,对应化合物电导率逐渐增加,Seebeck系数逐渐降低.由于Cd原子较大的ADP,从而导致较低的晶格热导率,在室温附近,Ba8Ga16Cd1.10Ge28.90化合物的晶格热导率与Ba8Ga16Ge30化合物相比约降低38%.Ba8Ga16Cd1.00Ge29.00化合物的最大ZT值在600 K时为0.173.
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| 关 键 词： | p型笼合物 结构 热电性能 |
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