| p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 |
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| 引用本文： | 杨通,崔海峰,邢国忠,关丽秀,丛春晓,谢玉鹏,姚斌.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究[J].物理实验,2006,26(11):3-6,17. |
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| 作者姓名： | 杨通 崔海峰 邢国忠 关丽秀 丛春晓 谢玉鹏 姚斌 |
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| 作者单位： | 吉林大学物理学院,吉林,长春,130021 |
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| 摘 要： | 以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 磁控溅射 导电性能 |
| 文章编号： | 1005-4642（2006）11-0003-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-15 |
| 修稿时间： | 2006-05-15 |
Study on formation and properties of p-type undoped Zn-rich ZnO thin film |
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| YANG Tong,CUI Hai-feng,XING Guo-zhong,GUAN Li-xiu,CONG Chun-xiao,XIE Yu-peng,YAO Bin.Study on formation and properties of p-type undoped Zn-rich ZnO thin film[J].Physics Experimentation,2006,26(11):3-6,17. |
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| Authors: | YANG Tong CUI Hai-feng XING Guo-zhong GUAN Li-xiu CONG Chun-xiao XIE Yu-peng YAO Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO film magnetron sputtering conduction property |
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