首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

低速~(40)Ar~(17+)离子入射金属Be表面发射的近红外光谱线和X射线谱
引用本文:张颖,张小安,徐忠锋,杨治虎,赵永涛,肖国青.低速~(40)Ar~(17+)离子入射金属Be表面发射的近红外光谱线和X射线谱[J].原子核物理评论,2010,27(3):357-362.
作者姓名:张颖  张小安  徐忠锋  杨治虎  赵永涛  肖国青
作者单位:1 咸阳师范学院与中国科学院近代物理研究所联合共建离子束与光物理实验室, 陕西 咸阳 712000;2 中国科学院近代物理研究所, 甘肃 兰州 730000;3 西安交通大学应用物理系, 陕西 西安 710049
基金项目:国家自然科学基金,陕西省自然科学基金
摘    要:用速度不同的(动能EK=272和357keV,速度v=1.14×106和1.72×106m/s)的高电荷态离子40Ar17+分别入射金属Be表面,同时测量这种相互作用过程中产生的近红外光谱线和X射线谱。实验结果表明,在低速范围内(速度小于玻尔速度vBohr=2.19×106m/s),速度较小的40Ar17+离子在到达金属的表面临界距离Rc到进入表面(2—3原子层)的进程中,形成了较多的高激发态Ar原子,其退激辐射较强的光谱线,进而验证了经典过垒模型。

关 键 词:高电荷态离子    红外光谱线    X射线
收稿时间:1900-01-01

Infrared Light and X-ray Emissions of 40Ar17+ Impacting on Be Surface
ZHANG Ying,ZHANG Xiao-an,XU Zhong-feng,YANG Zhi-hu,ZHAO Yong-tao,XIAO Guo-qing.Infrared Light and X-ray Emissions of 40Ar17+ Impacting on Be Surface[J].Nuclear Physics Review,2010,27(3):357-362.
Authors:ZHANG Ying  ZHANG Xiao-an  XU Zhong-feng  YANG Zhi-hu  ZHAO Yong-tao  XIAO Guo-qing
Institution:1 Ions Beam & Optical Physical Joint Laboratory of Xianyang Normal University and Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Xianyang 712000, Shaanxi, China; 2 Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China; 3 Department of Applied Physics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China
Abstract:The highly charged ion 40Ar17+ (kinetic energy EK=272 keV, velocity v=1.14×106 m/s and EK=357 keV, v=1.72×106 m/s) impacts on the surface of metal Be, and the atomic infrared light line and X ray spectrum are simultaneously measured. The experimental results show that in the low velocity region (less than vBohr), the highly charged ion with smaller velocity from a critical distance Rc to penetrate into the bulk formed more multiple excited Ar atoms and the spectrum intensities of decay radiation are greater, which verifies the classical over the barrier model.
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《原子核物理评论》浏览原始摘要信息
点击此处可从《原子核物理评论》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号