质子射频场照射对碳—13自旋晶格弛豫的影响

用推广的Ｓｏｌｏｍｏｎ方程描述了＾１Ｈ通道加上射频场的＾１３Ｃ自旋晶格弛豫，分析表明在＾１Ｈ射频照射下＾１３Ｃ自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程，但是在一些实验条件下可以变为单指数的；数值计算给出了满足Ｔ１＾ｃ＜Ｔ１＾Ｈ和满足Ｔ１＾ｃ＞Ｔ１＾Ｈ的＾１３Ｃ自旋晶格弛豫过程的明显差别，并显示了不同射频场强度的影响，实验观测了固体Ｌ－缬氨酸的甲基＾１３Ｃ自旋晶格弛豫，所得结果与理论分析很好符合。