| PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响 |
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| 引用本文： | 于鹏,赵勇,马力,盛广沪,赖珍荃,唐建成.PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响[J].南昌大学学报(理科版),2009,33(2). |
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| 作者姓名： | 于鹏 赵勇 马力 盛广沪 赖珍荃 唐建成 |
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| 作者单位： | 1. 南昌大学理学院,江西,南昌,330031
2. 南昌大学材料科学与工程学院,江西,南昌,330031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，江西省教育厅科技计划项目，江西省教改资助项目 |
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| 摘 要： | 采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)系统,以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度300 ℃、氧气压力4.0×10-2 Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜.通过原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对ZnO薄膜结构和应变的影响.研究结果表明,不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在16.7～39.0 nm之间,靶负压对薄膜表面结构影响较小;不同靶负压条件下ZnO薄膜都呈张应力,且张应力随靶负压的增大而增大.
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| 关 键 词： | 靶负压 应变 |
Influence of Negative Substrate Bias on Structure and Strain Prosperities of ZnO Films Prepared by PFCVAD |
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| YU Peng,ZHAO Yong,MA Li,SHENG Guang-hu,LAI Zhen-quan,TANG Jian-cheng.Influence of Negative Substrate Bias on Structure and Strain Prosperities of ZnO Films Prepared by PFCVAD[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2009,33(2). |
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| Authors: | YU Peng ZHAO Yong MA Li SHENG Guang-hu LAI Zhen-quan TANG Jian-cheng |
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| Institution: | a.College of Science;b.College of Materials Science and Engineering;Nanchang University;Nanchang 330031;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PFCVAD ZnO |
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