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非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子Massbauer谱
引用本文:梅良模,李卫东,毕耜云,刘宜华.非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子Massbauer谱[J].物理学报,1991(2).
作者姓名:梅良模  李卫东  毕耜云  刘宜华
作者单位:山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系 济南,250100,济南,250100,济南,250100,济南,250100
基金项目:国家自然科学基金,中国科学院物理研究所磁学开放研究实验室基金
摘    要:采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,Mossbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中发现存在尺寸效应,它只与FeBSi层的厚度有关,而死层效应既与FeBSi层厚度有关,也与Si层厚度有关。

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