衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响

通过衬底加热和氧化钼(MoO₃)修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明:当衬底温度为60℃、MoO₃修饰层为10nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×10^-3cm²/(V·s)提高到2.25×10^-1cm²/(V·s),阈值电压由12V降低到3V。器件性能的改善归因于:衬底加热可以优化有源层形貌,改善载流子传输;而MoO₃修饰层显著降低了电极与有源层之间的接触势垒,提高了载流子的注入。因此,衬底加热与电极修饰对于制备高性能有机场效应晶体管是不可或缺的优化手段。