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非机械清除的外延生长法
引用本文:嬴越佳治 ,张玉先.非机械清除的外延生长法[J].发光学报,1978(3).
作者姓名:嬴越佳治  张玉先
摘    要:1 前言 近年来GaAs—AlGaAs双异质结(DH)激光器的惊人进展,是与晶体液相外延生长技术的改善分不开的。对充分利用异质结光电特微的DH激光器来说,很明显界质结介面的质量对器件的各种特性都有很大的影响。我们认为致使GaAs—AlGaAs异质结质量下降的最重要因素是因为混入了氧。AlGaAs中随着AlAs百分比的增加就

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