| 土霉素的电化学还原和吸附溶出伏安法测定研究 |
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| 引用本文： | 韦桂珍,陆宗鹏,AlanM.Bond.土霉素的电化学还原和吸附溶出伏安法测定研究[J].分析化学,1989(12). |
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| 作者姓名： | 韦桂珍 陆宗鹏 AlanM.Bond |
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| 作者单位： | 中国科技大学，中国科学院生态环境中心，澳大利亚Deakin大学 合肥，230026，北京，100083，Vic.3217 |
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| 摘 要： | 本文叙述吸附溶出分析土霉素的灵敏方法。土霉素及其质子化形态能在汞电极表面吸附富集(-0.60V vsAg/AgCl),溶出峰的数目及电位受pH影响。在pH4—8的溶液中得到4个溶出峰,而在强酸性和碱性介质中仅得到一个主峰。文中讨论了有关的化学和电极反应机理。采用奥氏方波溶出,电解富集5 min的测定限为5×10~(-10)mol/L。
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| 关 键 词： | 吸附溶出伏安法 土霉素 |
STUDYING THE ELECTROREDUCTION AND DETERMINATION OF OXYTETRACYCLINE BY ADSORPTIVE STRIPPING VOLTAMMETRY |
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| Wei Guizhen.STUDYING THE ELECTROREDUCTION AND DETERMINATION OF OXYTETRACYCLINE BY ADSORPTIVE STRIPPING VOLTAMMETRY[J].Chinese Journal of Analytical Chemistry,1989(12). |
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| Authors: | Wei Guizhen |
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| Keywords: | Adsorptive stripping voltammetry Oxytetracycline |
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