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| 80 Gb/s高速PAM4调制850 nm垂直腔面发射激光器 | |
| 引用本文： | 王延靖,佟存柱,栾晓倩,蒋宁,佟海霞,汪丽杰,田思聪,孟博.80 Gb/s高速PAM4调制850 nm垂直腔面发射激光器[J].发光学报,2023(10):1811-1815. |
| 作者姓名： | 王延靖 佟存柱 栾晓倩 蒋宁 佟海霞 汪丽杰 田思聪 孟博 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划（2018YFB2201000,2021YFB2801000）；;王宽城教育基金（GJTD-2020-10）； |
| 摘 要： | 展示了高速直接调制850 nm氧化物限制垂直腔面发射激光器（VCSEL）的结果。优化设计应变InGaAs/AlGaAs量子阱以实现高微分增益，通过表面刻蚀来调节光子寿命实现响应平坦化。研制的氧化物孔径约7μm的VCSEL具有平坦的频率响应，3 dB调制带宽为24 GHz，相对噪声强度值-155 dB/Hz，未采用任何预加重和均衡技术情况下PAM4调制数据传输速率达80 Gb/s。 |
| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 高速 PAM4调制 |