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Ⅱ—Ⅵ族化合物注入式发光的进展
引用本文:M.Aven ,虞家琪.Ⅱ—Ⅵ族化合物注入式发光的进展[J].发光学报,1974(2).
作者姓名:M.Aven  虞家琪
摘    要:本文是一篇Ⅱ-Ⅵ族化合物注入式发光的情况报告。对用于注入式发光器件的已知的和潜在的材料作了简要的评论,并对Ⅱ-Ⅵ族化合物与其它材料的优缺点进行了对照比较。接着讨论了Ⅱ-Ⅵ族化合物的一般特性,这些特性直接影响注入式发光器件的性能,包括:施主和受主的溶解度、补偿现象、以及缺陷中心的本质。在讨论用来获得注入式发光的各种结构时,对其中两例做了比较详细的描述,一是p-n结型器件,一是单一导电类型器件。估价了以Ⅱ-Ⅵ族化合物制作注入式发光器件的前途,其中涉及到我们的知识不足的一些方面,这些方面应当作为进一步研究的焦点。

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