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| 环境温度对单晶锗片低温抛光去除率的影响研究 | |
| 引用本文： | 赵研,左敦稳,孙玉利,王珉.环境温度对单晶锗片低温抛光去除率的影响研究[J].人工晶体学报,2015(3):587-592. |
| 作者姓名： | 赵研 左敦稳 孙玉利 王珉 |
| 作者单位： | 南京航空航天大学机电学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51375237);江苏省自然科学基金(BK2012796);中国博士后科学基金(2014M551587) |
| 摘 要： | 在分析了单晶锗片低温抛光工艺的基础上,进行了四种不同参数的单晶锗片低温抛光实验。分析了不同温度条件下,单晶锗片去除速率的变化原因,提出了基于醚类辅助抛光液的自锐型低温抛光工艺,为冰冻固结磨料抛光单晶锗片的研究开辟了新途径。结果表明:环境温度对冰冻固结磨料抛光盘表层融化速率影响显著,10℃时即会导致融化过快;抛光区域摩擦产生的热量小于环境温度-10℃时的对流换热,会导致冰盘表面二次凝固;环境温度-10℃时加入醚类辅助抛光液可实现冰盘在低温下的自锐性。 |
| 关 键 词： | 单晶锗片 抛光 材料去除率 自锐性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |