| 在193nm关于Si_2分子的离子解离动力学的成像研究（英文） |
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| 引用本文： | 马玉杰,李芳芳,刘嘉兴,王凤燕.在193nm关于Si_2分子的离子解离动力学的成像研究（英文）[J].化学物理学报,2019(1). |
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| 作者姓名： | 马玉杰 李芳芳 刘嘉兴 王凤燕 |
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| 作者单位： | 复旦大学化学系上海市分子催化和功能材料重点实验室能源材料化学协同创新中心 |
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| 摘 要： | 在193 nm的单色激光实验中,本文利用时间切片离子速度成像技术,研究了经193 nm双光子电离得到的Si_2~+的解离反应动力学过程.根据实验得到的Si~+离子的速度成像,观测到了两种离子直接解离通道:Si(~3P_g)+Si+(~2P_u)和Si(~1D_2)+Si~+(~2P_u).电子基态的Si_2分子处于v=0～5的振动态上,其经过双光子电离后激发到Si_2~+离子的多个电子激发态势能面,生成主要通道Si(~3P_g)+Si+(~2P_u),其中v=1的解离信号最强.此外,由于势能曲线2~2Π_g与3~2Π_g相同对称性引起的避免性势能面交叉,生成次要反应通道Si(~1D_2)+Si~+(~2P_u).通道Si(~1D_2)+Si~+(~2P_u)的产物亦可以由生成的基态Si_2~+(X~4∑_g~-)吸收一个193 nm光子后解离得到,其对应产物则具有更大的动能.
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