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| 提高Nb_3Sn的临界电流密度中的一个观点 | |
| 引用本文： | 胡素辉.提高Nb_3Sn的临界电流密度中的一个观点[J].低温物理学报,1981(4). |
| 作者姓名： | 胡素辉 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 和作者于1973年在NbTi44合金中预言的一样,在Nb_3Sn的临界电流密度与晶粒大小的依赖关系中也存在一极大值,据此提出了在提高Nb_3Sn的临界电流密度中一个值得考虑的观点,这个观点是:除了使Nb_3Sn的晶粒大小与磁通线格子参数匹配以外,应作重力求提高Nb_(3)Sn晶界的钉扎强度. |
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