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半导体量子器件物理讲座 第六讲 半导体量子阱激光器
引用本文:余金中,王杏华.半导体量子器件物理讲座 第六讲 半导体量子阱激光器[J].物理,2001,30(11):717-723.
作者姓名:余金中  王杏华
作者单位:中国科学院半导体研究所,
基金项目:国家自然科学基金(批准号:6974600l,69787004,69896260-06,69990540)和国家科技部"973”计划资助项目
摘    要:量子阱结构是半导体光电子器件的核心组成部分,它是半导体光电子集成的重要基础,文章在描述了量子结构的态密度,量子尺寸效应,粒子数反转的基础上,介绍了量子阱导质结构激光器的工作原理,器件结构,器件性能,并对其在可见光激光器和大功率激光器件中显现出来的优越性作了进一步的说明。

关 键 词:异质结  量子阱  半导体光电子学  光电集成  半导体量子器件  激光器
修稿时间:2001年3月16日

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DIODES
YU Jin-Zhong,WANG Xing-Hua.SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DIODES[J].Physics,2001,30(11):717-723.
Authors:YU Jin-Zhong  WANG Xing-Hua
Abstract:Quantum wells are the foundation for semiconductor optoelectronics integrated circuits as well as the key part of optoelectronic devices. Based on the state density,quantum size effects and population inversion in quantum structures we discuss the principles of operation, structure and performance of quantum well lasers. These structures have played a very important role in visible and high-power laser diodes, showing many outstanding properties.
Keywords:quantum well  heterostructure  laser diode  semiconductor optoelectronics  optoelectronic integrated circuits
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