| 6H-SiC晶片的退火处理 |
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| 引用本文： | 姜守振,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,于光伟,胡小波,徐现刚,王继杨,蒋民华. 6H-SiC晶片的退火处理[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(5): 949-952 |
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| 作者姓名： | 姜守振 李娟 陈秀芳 王英民 宁丽娜 于光伟 胡小波 徐现刚 王继杨 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 山东省半导体照明工程关键技术资助项目，教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目 |
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| 摘 要： | 本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.
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| 关 键 词： | 升华法 SiC 退火 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）05-0949-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-24 |
| 修稿时间： | 2006-03-24 |
Annealing Treatment of 6H-SiC Wafers |
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| JIANG Shou-zhen,LI Juan,CHEN Xiu-fang,WNAG Ying-min,NING Li-na,YU Guang-wei,HU Xiao-bo,XU Xian-gang,WANG Ji-yang,JIANG Min-hua. Annealing Treatment of 6H-SiC Wafers[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(5): 949-952 |
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| Authors: | JIANG Shou-zhen LI Juan CHEN Xiu-fang WNAG Ying-min NING Li-na YU Guang-wei HU Xiao-bo XU Xian-gang WANG Ji-yang JIANG Min-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sublimation method SiC annealing |
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