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双合成反铁磁结构及其对自旋阀巨磁电阻效应的影响
引用本文:苏喜平,包瑾,闫树科,徐晓光,姜勇.双合成反铁磁结构及其对自旋阀巨磁电阻效应的影响[J].物理学报,2008,57(4):2509-2513.
作者姓名:苏喜平  包瑾  闫树科  徐晓光  姜勇
作者单位:北京科技大学材料物理与化学系,新金属材料国家重点实验室,北京 100083
基金项目:国家自然科学基金(批准号:50571021,90607020)、北京市自然科学基金(批准号:2063030)、教育部科学技术研究计划重点项目(批准号:107116)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB936202)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-20060420151)资助的课题.
摘    要:用直流磁控溅射方法制备了双合成反铁磁结构Co90Fe10(5 nm)/Ru(x nm)/Co90Fe10(3 nm)/Ru(y nm)/Co90Fe10(5 nm)(x=0.45,0.45,1.00; y=0.45,1.00,1.00)的系列样品,并对样品的性能及其作为钉扎层对自旋阀巨磁电阻(GMR)效应的影响进行了研究 关键词: 双合成反铁磁 自旋阀 巨磁电阻

关 键 词:双合成反铁磁  自旋阀  巨磁电阻
收稿时间:2007-06-29
修稿时间:9/4/2007 12:00:00 AM

Effect of dual-synthetic antiferromagnet structre on giant magnetoresistance in spin valves
Su Xi-Ping,Bao Jin,Yan Shu-Ke,Xu Xiao-Guang,Jiang Yong.Effect of dual-synthetic antiferromagnet structre on giant magnetoresistance in spin valves[J].Acta Physica Sinica,2008,57(4):2509-2513.
Authors:Su Xi-Ping  Bao Jin  Yan Shu-Ke  Xu Xiao-Guang  Jiang Yong
Abstract:The properties of dual-synthetic antiferromagnet (DSAF) structure Co90Fe10(5 nm)/Ru(x nm)/Co90Fe10(3 nm)/Ru(y nm)/Co90Fe10(5 nm) (in which x=0.45 y=0.45; x=0.45 y=1; x=1, y=1) were studied. The effect of DSAF structure on giant magnetoresistance (GMR) single spin-valve (SPV) structures was also studied. The study shows that the properties of DSAF are better than those of the conventional synthetic antiferromagnet Co90Fe10(5 nm)/Ru(0.5 nm)/Co90Fe10(3 nm). We demonstrated that the DSAF structure as a pinned layer dramatically enhances the GMR ratio in single SPV films at room temperature.
Keywords:dual-synthetic antiferromagnet  spin-valve  giant magnetoresistance
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