| 印刷制作的双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的稳定电子发射 |
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| 引用本文： | 李玉魁,武超,刘飞,杨娟.印刷制作的双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的稳定电子发射[J].光子学报,2019,48(1). |
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| 作者姓名： | 李玉魁 武超 刘飞 杨娟 |
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| 作者单位： | 金陵科技学院 电子信息工程学院,南京,211169;中原工学院 电子信息学院,郑州,450007 |
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| 摘 要： | 应用带保护气进行烧结的方法,制作了一种双半导体底层碳纳米管薄膜阴极.利用烧结的银浆形成条形银电极,在条形银电极表面制作了具有相同宽度且平行排列的ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层,在掺杂底层上面制备了碳纳米管膜层.由于保护气的防氧化屏蔽,碳纳米管膜层中的碳纳米管未受损害,ZnO粒子和TiO2粒子也在烧结过程中得到了很好地保护,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极获得更优的电子发射特性,且电子发射稳定性也得到有效增强.与普通条形银电极碳纳米管阴极相比,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极能够将开启电场从2.09V/μm降低到1.91V/μm,将最大电子发射电流从1 653.5μA提高到2 672.9μA.在2.69V/μm电场作用下,普通条形银电极碳纳米管阴极的电子发射电流仅为421.1μA,而双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的电子发射电流能够达到723.5μA.从发射电流稳定性实验曲线可以看出,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极实现了稳定的电子发射,表明ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层能够应用于真空环境.利用数码相机获得了具有良好质量的发射图像,验证了双半导体底层碳纳米管薄膜阴极制作的可行性和适用性.
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| 关 键 词： | 薄膜阴极 掺杂底层 烧结 丝网印刷 电子发射 |
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