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| 808 nm大功率半导体激光器阵列的优化设计 | |
| 作者姓名： | 杨晔 刘云 秦莉 王烨 梁雪梅 李再金 胡黎明 史晶晶 王超 王立军 |
| 作者单位： | １． 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 激发态物理重点实验室, 长春 130033;2． 中国科学院 研究生院, 北京 100039 |
| 基金项目： | 吉林省科技厅重大项目,吉林省科技厅科技攻关项目 |
| 摘 要： | 采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明：引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器线阵列 隔离沟道 腐蚀深度 电流扩散 电流分布 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |
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