| 氟掺杂的氧化锌薄膜的结构和光学特性 |
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| 引用本文： | 马剑钢,刘益春,徐海阳,骆英民,张吉英,吕有明,申德振,范希武.氟掺杂的氧化锌薄膜的结构和光学特性[J].发光学报,2004,25(5):519-523. |
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| 作者姓名： | 马剑钢 刘益春 徐海阳 骆英民 张吉英 吕有明 申德振 范希武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;东北师范大学,先进光电子功能材料研究中心,吉林,长春,130024;东北师范大学,先进光电子功能材料研究中心,吉林,长春,130024 |
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| 基金项目： | 国家"863"高技术研究项目(2001AA311120),国家自然科学基金重大项目(60336020),中国科学院创新研究项目,国家自然科学基金(60278031,60176003,60376009)资助项目 |
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| 摘 要： | 通过热氧化氟化锌(ZnF2)薄膜的方法制备出氟掺杂的多晶ZnO薄膜,ZnF2薄膜是利用电子束蒸发方法沉积在Si(100)衬底得到的。利用X射线衍射和X射线电子能谱研究了ZnF2薄膜向ZnO的转变过程。实验结果表明,在400℃退火30min的条件下能够获得六方纤锌矿结构的ZnO：F薄膜。对ZnO：F薄膜的室温光致发光谱可以观察到位于379nm、半峰全宽为73meV的紫外发射峰,而相应于缺陷的深能级发射则完全猝灭。表明ZnO中残留的F能够有效地增强激子的发光,同时使缺陷发光强度明显降低。对F掺杂对ZnO的发光性能的影响进行了讨论。
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| 关 键 词： | ZnO:F X射线衍射 X射线光电子能谱 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)05-0519-05 |
| 修稿时间： | 2003年7月20日 |
Photoluminescence of F-passivated ZnO Nanocrystalline Films from Thermally Oxidized ZnF2 Films |
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| MA Jian-gang,LIU Yi-chun.Photoluminescence of F-passivated ZnO Nanocrystalline Films from Thermally Oxidized ZnF2 Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(5):519-523. |
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| Authors: | MA Jian-gang LIU Yi-chun |
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| Institution: | MA Jian-gang~1,LIU Yi-chun~ |
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