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计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定
引用本文:渠波,郑新和,王玉田,冯志宏,韩景仪,刘世安,林世鸣,杨辉,梁骏吾.计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定[J].中国科学A辑,2001,31(2):146-152.
作者姓名:渠波  郑新和  王玉田  冯志宏  韩景仪  刘世安  林世鸣  杨辉  梁骏吾
作者单位:(1)中国科学院半导体研究所 ,北京 100083 ,中国;(2)中国地质科学院矿床地质研究所 ,北京 100037 ,中国
基金项目:国家“八六三”计划基金资助项目
摘    要:以回摆法衍射峰的积分强度为基础,提出了X射线衍射分析单晶体时的多重性因子和衍射几何因子的概念,推导出普遍适用的相含量计算公式.利用双晶X射线多功能四圆衍射仪测绘GaN/GaAs(001)外延层中立方相(002)面、{111}面和六角相{100}面的极图和倒易空间Mapping,分析了六角相和立方相微孪晶的各晶面在极图中的分布特征及计算相含量时的多重性因子和衍射几何因子,并根据立方相(002)、立方相微孪晶{111}、六角相{101}和{100}衍射峰的积分强度,求得外延层中立方相微孪晶和六角相的含量.

关 键 词:GaN  相含量  四圆衍射
收稿时间:2000-06-23
修稿时间:2000年6月23日
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