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| GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性 | |
| 作者姓名： | 王杏华 李国华 |
| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所, 北京 100083 |
| 摘 要： | 采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵,其光荧光谱显示出蓝移,并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。 |
| 关 键 词： | GaAs/AlGaAs 量子点 光荧光 |
| 收稿时间： | 1998-03-18 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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